DiodesZetex ZXMHC6A07T8TA MOSFET

Код товара RS: 669-7461PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMHC6A07T8TA
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 А, 1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мОм, 425 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,65 нКл при 5 В, 2,4 нКл при 5 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMHC6A07T8TA MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMHC6A07T8TA MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 А, 1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мОм, 425 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1,65 нКл при 5 В, 2,4 нКл при 5 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.