Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 358,25
тг 174,33 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 4 358,25
тг 174,33 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 174,33 | тг 4 358,25 |
125 - 475 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
500 - 1225 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
1250 - 2475 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
2500+ | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
3,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре