DiodesZetex ZXM61N02FTA MOSFET

Код товара RS: 154-958Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXM61N02FTA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

806 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.05мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

3,4 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR4501NT1G
тг 120,69Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 358,25

тг 174,33 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex ZXM61N02FTA MOSFET
Select packaging type

тг 4 358,25

тг 174,33 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex ZXM61N02FTA MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 174,33тг 4 358,25
125 - 475тг 120,69тг 3 017,25
500 - 1225тг 111,75тг 2 793,75
1250 - 2475тг 84,93тг 2 123,25
2500+тг 84,93тг 2 123,25
Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR4501NT1G
тг 120,69Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

806 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.05мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

3,4 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
onsemi N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR4501NT1G
тг 120,69Each (In a Pack of 2) (ex VAT)