Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
260 мА
Максимальное напряжение сток-исток
240 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В, +40 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Производственная упаковка (Лента )
5
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лента )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
260 мА
Максимальное напряжение сток-исток
240 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В, +40 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
