DiodesZetex ZVN3310FTA MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.05мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 187,74
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 187,74
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 187,74 | тг 4 693,50 |
| 125 - 475 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 500 - 1225 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
| 1250 - 2475 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 2500+ | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.05мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре