Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 5 721,60
тг 286,08 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 5 721,60
тг 286,08 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 286,08 | тг 5 721,60 |
| 100 - 380 | тг 187,74 | тг 3 754,80 |
| 400 - 1980 | тг 187,74 | тг 3 754,80 |
| 2000 - 3980 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 4000+ | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
