Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Производственная упаковка (Лента )
10
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лента )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
