N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13

Код товара RS: 146-0957Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DXT13003DG-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+9 В

Ширина

3.55мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.55мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+9 В

Ширина

3.55мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.55мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc