DiodesZetex DMP4025LSD-13 MOSFET

Код товара RS: 823-4030Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP4025LSD-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,14 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 2 771,40

тг 277,14 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

DiodesZetex DMP4025LSD-13 MOSFET
Select packaging type

тг 2 771,40

тг 277,14 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

DiodesZetex DMP4025LSD-13 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 277,14тг 2 771,40
50 - 240тг 277,14тг 2 771,40
250 - 1240тг 178,80тг 1 788,00
1250 - 2490тг 138,57тг 1 385,70
2500+тг 129,63тг 1 296,30

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,14 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.