Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
2,78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.26мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 5 252,25
тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 5 252,25
тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 210,09 | тг 5 252,25 |
125 - 225 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
250 - 1225 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
1250 - 2475 | тг 107,28 | тг 2 682,00 |
2500+ | тг 102,81 | тг 2 570,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
2,78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.26мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре