Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13

Код товара RS: 823-2959Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP4025LK3-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,78 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.26мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 252,25

тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13
Select packaging type

тг 5 252,25

тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 210,09тг 5 252,25
125 - 225тг 138,57тг 3 464,25
250 - 1225тг 138,57тг 3 464,25
1250 - 2475тг 107,28тг 2 682,00
2500+тг 102,81тг 2 570,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,78 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.26мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.