P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin SOP Diodes Inc DMP3056LSS-13

Код товара RS: 823-4037Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP3056LSS-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,7 нКл при 10 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin SOP Diodes Inc DMP3056LSS-13
Select packaging type

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin SOP Diodes Inc DMP3056LSS-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 100P.O.A.
125 - 225P.O.A.
250 - 1225P.O.A.
1250 - 2475P.O.A.
2500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,7 нКл при 10 В

Ширина

4.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.