Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 911,25
тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 911,25
тг 156,45 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 156,45 | тг 3 911,25 |
| 125 - 225 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
| 250 - 1225 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
| 1250 - 2475 | тг 71,52 | тг 1 788,00 |
| 2500+ | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
