Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 DMP3056LDM-7

Код товара RS: 751-4262PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP3056LDM-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-26

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

3.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

21,1 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 DMP3056LDM-7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 DMP3056LDM-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-26

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

3.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

21,1 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.