Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21,1 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21,1 нКл при 10 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре