Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
450 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 125 - 725 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 750 - 1475 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 1500 - 2975 | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
| 3000+ | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
450 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
