Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
DMP
Тип корпуса
DI5060
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Длина
5.1мм
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
64,2 при 10 В нКл
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.1мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
DMP
Тип корпуса
DI5060
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Длина
5.1мм
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
64,2 при 10 В нКл
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.1мм
Информация о товаре