Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7

Код товара RS: 751-4247Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP2160U-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 3 799,50

тг 75,99 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7
Select packaging type

тг 3 799,50

тг 75,99 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2160U-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 75,99тг 3 799,50
250 - 450тг 49,17тг 2 458,50
500 - 1450тг 40,23тг 2 011,50
1500 - 2950тг 35,76тг 1 788,00
3000+тг 31,29тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.