Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
62 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
810 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 250 - 450 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 500 - 1450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
| 1500 - 2950 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 3000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
62 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
810 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
15,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
