Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
3.95мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
56,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 5 140,50
тг 205,62 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 5 140,50
тг 205,62 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 205,62 | тг 5 140,50 |
| 125 - 225 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 250 - 1225 | тг 129,63 | тг 3 240,75 |
| 1250 - 2475 | тг 102,81 | тг 2 570,25 |
| 2500+ | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
3.95мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
56,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
