P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMP2008UFG-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
72 нКл при 4,5 В
Ширина
3.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.85мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 975 | P.O.A. |
| 1000 - 1975 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
72 нКл при 4,5 В
Ширина
3.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.85мм
Информация о товаре