Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
17,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.35мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
17,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.35мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре