Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7

Код товара RS: 921-1139Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP2006UFG-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Select packaging type

P.O.A.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 17.5 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2006UFG-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.