P-Channel MOSFET, 9.1 A, 12 V, 6-Pin U-DFN2020 Diodes Inc DMP1022UFDE-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
2,03 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28,4 нКл при 5 В
Ширина
2.05мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.58мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 725 | P.O.A. |
| 750 - 1475 | P.O.A. |
| 1500 - 2975 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
95 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
2,03 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28,4 нКл при 5 В
Ширина
2.05мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.58мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре