Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc DMN65D8LDW-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
? 20V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,87 нКл при 10 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 1400 | P.O.A. |
| 1500 - 2900 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
? 20V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,87 нКл при 10 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре