Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7

Код товара RS: 822-2602PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN65D8LDW-7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,87 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,87 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.