N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN65D8L-7

Код товара RS: 823-2952Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN65D8L-7
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

310 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

540 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,87 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN65D8L-7
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN65D8L-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 200.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 200.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

200

Доступно в кратности 200
200P.O.A.
400P.O.A.
600P.O.A.
800P.O.A.
1000P.O.A.
1200P.O.A.
1400P.O.A.
1600P.O.A.
1800P.O.A.
2000P.O.A.
2200P.O.A.
2400P.O.A.
2600P.O.A.
2800P.O.A.
3000P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
200 - 800P.O.A.
1000 - 1800P.O.A.
2000 - 2800P.O.A.
3000 - 5800P.O.A.
6000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

310 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

540 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,87 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.