DiodesZetex DMN62D1LFB-7B MOSFET

Код товара RS: 182-6901Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN62D1LFB-7B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

407 mA

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

X1-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.07мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0.45 nC @ 4.5V

Ширина

0.67мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

0.48мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN62D1LFB-7B MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN62D1LFB-7B MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

407 mA

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

X1-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.07мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0.45 nC @ 4.5V

Ширина

0.67мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

0.48мм

Страна происхождения

China