DiodesZetex DMN6069SE-13 MOSFET

Код товара RS: 182-6900Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN6069SE-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

11 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.55мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 nC @ 10V

Ширина

3.55мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.1V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN6069SE-13 MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN6069SE-13 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

11 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.55мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 nC @ 10V

Ширина

3.55мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.1V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China