Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
520 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 4,5 В
Длина
3мм
Высота
1мм
Прямое напряжение диода
1.4V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
520 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 4,5 В
Длина
3мм
Высота
1мм
Прямое напряжение диода
1.4V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре