Diodes Inc N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMN4800LSSL-13
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,46 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 6 481,50
тг 129,63 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 6 481,50
тг 129,63 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 129,63 | тг 6 481,50 |
| 250 - 450 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
| 500 - 1200 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
| 1250 - 2450 | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
| 2500+ | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,46 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.95мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре