Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
61 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,49 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.22мм
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
61 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,49 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.22мм
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре