Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,2 нКл при 15 В
Высота
0.58мм
Серия
DMN3025LFDF
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,2 нКл при 15 В
Высота
0.58мм
Серия
DMN3025LFDF
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре