DiodesZetex DMN3016LDV-7 MOSFET

Код товара RS: 133-3342Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN3016LDV-7
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PDI3333

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21 нКл при 15 В

Высота

0.8мм

Серия

DMN3016LDV

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN3016LDV-7 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

DiodesZetex DMN3016LDV-7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PDI3333

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21 нКл при 15 В

Высота

0.8мм

Серия

DMN3016LDV

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.