DiodesZetex DMN2450UFB4-7R MOSFET

Код товара RS: 182-6891Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN2450UFB4-7R
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Ширина

0.65мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1.3 nC @ 10 V

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN2450UFB4-7R MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN2450UFB4-7R MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Ширина

0.65мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1.3 nC @ 10 V

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China