Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 129,00
тг 62,58 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 3 129,00
тг 62,58 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
| 250 - 450 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
| 500 - 1450 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 1500 - 2950 | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
| 3000+ | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
