Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
780 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
250 - 450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
500 - 1450 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
1500 - 2950 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
3000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
780 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
15,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре