DiodesZetex DMN2011UFDF-7 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Длина
2.05мм
Серия
DMN2011UFDF
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.58мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Длина
2.05мм
Серия
DMN2011UFDF
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.58мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре