Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 470,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
| 250 - 700 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 750 - 1450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 1500 - 2950 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
| 3000+ | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
600 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Информация о товаре