DiodesZetex DMN10H099SFG-7 MOSFET

Код товара RS: 146-0954Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN10H099SFG-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.35мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25,2 нКл при 10 В

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.77V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN10H099SFG-7 MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN10H099SFG-7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.35мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25,2 нКл при 10 В

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.77V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.