Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25,2 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.77V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25,2 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.77V
Страна происхождения
China
Информация о товаре