Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7

Код товара RS: 921-1032Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN1019USN-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-346

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.35V

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

50,6 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7
Select packaging type

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-346

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.35V

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

50,6 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.