DiodesZetex DMN1004UFDF-7 MOSFET

Код товара RS: 182-6883Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN1004UFDF-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 (State) A, 15 (Steady) A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

U-DFN2020

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Ширина

2.05мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.58мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMN1004UFDF-7 MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMN1004UFDF-7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 (State) A, 15 (Steady) A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

U-DFN2020

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.05мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Ширина

2.05мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.58мм

Страна происхождения

China