Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
700 V
Тип корпуса
TO-251
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3+Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,4 нКл при 10 В
Высота
7.17мм
Серия
DMJ70H900HJ3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
700 V
Тип корпуса
TO-251
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3+Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,4 нКл при 10 В
Высота
7.17мм
Серия
DMJ70H900HJ3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре