Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMG7430LFG-7

Код товара RS: 770-5115PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG7430LFG-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMG7430LFG-7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMG7430LFG-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.