Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDI3333-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре