Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7

Код товара RS: 751-4111Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG6968U-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 4 023,00

тг 160,92 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7
Select packaging type

тг 4 023,00

тг 160,92 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 160,92тг 4 023,00
125 - 725тг 107,28тг 2 682,00
750 - 1475тг 93,87тг 2 346,75
1500 - 2975тг 71,52тг 1 788,00
3000+тг 62,58тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.