Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 023,00
тг 160,92 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 4 023,00
тг 160,92 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 160,92 | тг 4 023,00 |
| 125 - 725 | тг 107,28 | тг 2 682,00 |
| 750 - 1475 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 1500 - 2975 | тг 71,52 | тг 1 788,00 |
| 3000+ | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
