Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13

Код товара RS: 751-4109PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG4800LSD-13
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,56 нКл при 5 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,56 нКл при 5 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.