Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13

Код товара RS: 885-5482Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG4511SK4-13
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

9,3 А, 9,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

35 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

8,9 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,7 нКл при 10 В, 19,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 291,20

тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 291,20
40тг 8 582,40
60тг 12 873,60
80тг 17 164,80
100тг 16 539,00
120тг 19 846,80
140тг 23 154,60
160тг 26 462,40
180тг 29 770,20
200тг 33 078,00
220тг 36 385,80
240тг 39 693,60
260тг 43 001,40
280тг 46 309,20
300тг 49 617,00

тг 4 291,20

тг 214,56 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 291,20
40тг 8 582,40
60тг 12 873,60
80тг 17 164,80
100тг 16 539,00
120тг 19 846,80
140тг 23 154,60
160тг 26 462,40
180тг 29 770,20
200тг 33 078,00
220тг 36 385,80
240тг 39 693,60
260тг 43 001,40
280тг 46 309,20
300тг 49 617,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 214,56тг 4 291,20
100 - 480тг 165,39тг 3 307,80
500 - 980тг 151,98тг 3 039,60
1000 - 1980тг 125,16тг 2 503,20
2000+тг 107,28тг 2 145,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

9,3 А, 9,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

35 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

8,9 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,7 нКл при 10 В, 19,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.