Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
9,3 А, 9,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
35 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,9 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
6.2мм
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,7 нКл при 10 В, 19,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
9,3 А, 9,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
35 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
8,9 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
6.2мм
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,7 нКл при 10 В, 19,2 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре