Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
71 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
71 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
