Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
37 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
780 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
125 - 725 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
750 - 1475 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
1500 - 2975 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
3000+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
37 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
780 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
9,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре