Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG3414U-7

Код товара RS: 751-4086Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG3414U-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

37 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

780 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

9,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 352,50

тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG3414U-7
Select packaging type

тг 3 352,50

тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG3414U-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 134,10тг 3 352,50
125 - 725тг 89,40тг 2 235,00
750 - 1475тг 89,40тг 2 235,00
1500 - 2975тг 62,58тг 1 564,50
3000+тг 53,64тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

37 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

780 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

9,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.