P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMG2307L-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
134 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 1400 | P.O.A. |
| 1500 - 2900 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
134 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре