Dual N/P-Channel MOSFET, 640 mA, 870 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 Diodes Inc DMG1016V-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
640 мА, 870 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω, 700 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
530 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
0,62 нКл при 4,5 В, 0,74 нКл при 4,5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 1450 | P.O.A. |
| 1500 - 2950 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
640 мА, 870 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω, 700 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
530 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
0,62 нКл при 4,5 В, 0,74 нКл при 4,5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре