DiodesZetex DMC3016LNS-7 MOSFET

Код товара RS: 133-3341Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMC3016LNS-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А (P-канал), 9 А (N-канал)

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PDI3333

Серия

DMC3016LNS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм, 38 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2 V, 2.4 V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2 V, 1.4 V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19,7 нКл при 15 В, 21 нКл при 15 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMC3016LNS-7 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

DiodesZetex DMC3016LNS-7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А (P-канал), 9 А (N-канал)

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PDI3333

Серия

DMC3016LNS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм, 38 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2 V, 2.4 V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2 V, 1.4 V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Двойная база

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19,7 нКл при 15 В, 21 нКл при 15 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.