Dual P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS84DW-7-F
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 1 899,75
тг 75,99 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 899,75
тг 75,99 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
| 125 - 225 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 250 - 475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 500 - 1225 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 1250+ | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре